200mm SiC સબસ્ટ્રેટ ડમી ગ્રેડ 4H-N 8inch SiC વેફર

8-ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ ઉત્પાદનની તકનીકી મુશ્કેલીઓમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે:

1. ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ: મોટા વ્યાસમાં સિલિકોન કાર્બાઇડની ઉચ્ચ ગુણવત્તાની સિંગલ ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ હાંસલ કરવી ખામીઓ અને અશુદ્ધિઓના નિયંત્રણને કારણે પડકારરૂપ બની શકે છે.

2.વેફર પ્રોસેસિંગ: 8-ઇંચ વેફરનું મોટું કદ વેફર પ્રોસેસિંગ દરમિયાન એકરૂપતા અને ખામી નિયંત્રણના સંદર્ભમાં પડકારો રજૂ કરે છે, જેમ કે પોલિશિંગ, એચિંગ અને ડોપિંગ.

3. સામગ્રી એકરૂપતા: સમગ્ર 8-ઇંચના SiC સબસ્ટ્રેટમાં સાતત્યપૂર્ણ સામગ્રી ગુણધર્મો અને એકરૂપતાને સુનિશ્ચિત કરવી તકનીકી રીતે માંગ છે અને ઉત્પાદન પ્રક્રિયા દરમિયાન ચોક્કસ નિયંત્રણની જરૂર છે.

4. કિંમત: ઉચ્ચ સામગ્રીની ગુણવત્તા અને ઉપજ જાળવી રાખતી વખતે 8-ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ સુધીનું માપન કરવું ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓની જટિલતા અને ખર્ચને કારણે આર્થિક રીતે પડકારરૂપ બની શકે છે.

5. ઉચ્ચ-પ્રદર્શન શક્તિ અને ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં 8-ઈંચના SiC સબસ્ટ્રેટને વ્યાપકપણે અપનાવવા માટે આ તકનીકી મુશ્કેલીઓને સંબોધિત કરવી મહત્વપૂર્ણ છે.

અમે ટેન્કબ્લ્યુ સહિત ચીનની નંબર વન નિકાસ SiC ફેક્ટરીઓમાંથી નીલમ સબસ્ટ્રેટ સપ્લાય કરીએ છીએ.10 વર્ષથી વધુની એજન્સીએ અમને ફેક્ટરી સાથે ગાઢ સંબંધ જાળવવાની મંજૂરી આપી છે.શ્રેષ્ઠ કિંમત અને કિંમત ઓફર કરતી વખતે અમે તમને લાંબા ગાળાના અને સ્થિર પુરવઠા માટે જરૂરી એવા 6inch અને 8inchSiC સબસ્ટ્રેટ્સ પ્રદાન કરી શકીએ છીએ.

ટેન્કબ્લ્યુ એ ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) ચિપ્સના વિકાસ, ઉત્પાદન અને વેચાણમાં વિશેષતા ધરાવતું હાઇ-ટેક એન્ટરપ્રાઇઝ છે.કંપની SiC વેફરના વિશ્વની અગ્રણી ઉત્પાદકોમાંની એક છે.