200mm SiC સબસ્ટ્રેટ ડમી ગ્રેડ 4H-N 8 ઇંચ SiC વેફર

8-ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ ઉત્પાદનની તકનીકી મુશ્કેલીઓમાં શામેલ છે:

1. ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ: ખામીઓ અને અશુદ્ધિઓના નિયંત્રણને કારણે મોટા વ્યાસમાં સિલિકોન કાર્બાઇડની ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળી સિંગલ ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ પ્રાપ્ત કરવી પડકારજનક બની શકે છે.

2. વેફર પ્રોસેસિંગ: 8-ઇંચના વેફરનું મોટું કદ વેફર પ્રોસેસિંગ દરમિયાન એકરૂપતા અને ખામી નિયંત્રણના સંદર્ભમાં પડકારો રજૂ કરે છે, જેમ કે પોલિશિંગ, એચિંગ અને ડોપિંગ.

૩. સામગ્રીની એકરૂપતા: સમગ્ર ૮-ઇંચના SiC સબસ્ટ્રેટમાં સુસંગત સામગ્રી ગુણધર્મો અને એકરૂપતા સુનિશ્ચિત કરવી તકનીકી રીતે મુશ્કેલ છે અને ઉત્પાદન પ્રક્રિયા દરમિયાન ચોક્કસ નિયંત્રણની જરૂર છે.

૪.કિંમત: ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓની જટિલતા અને ખર્ચને કારણે ઉચ્ચ સામગ્રી ગુણવત્તા અને ઉપજ જાળવી રાખીને ૮-ઇંચના SiC સબસ્ટ્રેટ સુધી સ્કેલિંગ કરવું આર્થિક રીતે પડકારજનક હોઈ શકે છે.

5. ઉચ્ચ-પ્રદર્શન પાવર અને ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં 8-ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટના વ્યાપક સ્વીકાર માટે આ તકનીકી મુશ્કેલીઓનો ઉકેલ લાવવો મહત્વપૂર્ણ છે.

અમે ટેન્કબ્લ્યુ સહિત ચીનના નંબર વન નિકાસ SiC ફેક્ટરીઓમાંથી નીલમ સબસ્ટ્રેટ સપ્લાય કરીએ છીએ. 10 વર્ષથી વધુની એજન્સીએ અમને ફેક્ટરી સાથે ગાઢ સંબંધ જાળવી રાખવાની મંજૂરી આપી છે. અમે તમને શ્રેષ્ઠ કિંમત અને કિંમત ઓફર કરતી વખતે લાંબા ગાળાના અને સ્થિર પુરવઠા માટે જરૂરી 6 ઇંચ અને 8 ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ પ્રદાન કરી શકીએ છીએ.

ટેન્કબ્લ્યુ એક હાઇ-ટેક એન્ટરપ્રાઇઝ છે જે ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) ચિપ્સના વિકાસ, ઉત્પાદન અને વેચાણમાં વિશેષતા ધરાવે છે. આ કંપની SiC વેફરના વિશ્વના અગ્રણી ઉત્પાદકોમાંની એક છે.