4 ઇંચ સેફાયર વેફર સી-પ્લેન SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
અરજીઓ
● III-V અને II-VI સંયોજનો માટે ગ્રોથ સબસ્ટ્રેટ.
● ઈલેક્ટ્રોનિક્સ અને ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક્સ.
● IR એપ્લિકેશન.
● સિલીકોન ઓન સેફાયર ઈન્ટીગ્રેટેડ સર્કિટ(SOS).
● રેડિયો ફ્રીક્વન્સી ઈન્ટીગ્રેટેડ સર્કિટ (RFIC).
LED ઉત્પાદનમાં, નીલમ વેફર્સનો ઉપયોગ ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ (GaN) સ્ફટિકોના વિકાસ માટે સબસ્ટ્રેટ તરીકે થાય છે, જે જ્યારે ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ લાગુ કરવામાં આવે છે ત્યારે પ્રકાશ ફેંકે છે.નીલમ એ GaN વૃદ્ધિ માટે એક આદર્શ સબસ્ટ્રેટ સામગ્રી છે કારણ કે તે GaN જેવું જ ક્રિસ્ટલ માળખું અને થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક ધરાવે છે, જે ખામીઓને ઘટાડે છે અને ક્રિસ્ટલની ગુણવત્તામાં સુધારો કરે છે.
ઓપ્ટિક્સમાં, નીલમ વેફર્સનો ઉપયોગ ઉચ્ચ-દબાણ અને ઉચ્ચ-તાપમાન વાતાવરણમાં, તેમજ ઇન્ફ્રારેડ ઇમેજિંગ સિસ્ટમ્સમાં વિન્ડો અને લેન્સ તરીકે થાય છે, કારણ કે તેમની ઉચ્ચ પારદર્શિતા અને કઠિનતા છે.
સ્પષ્ટીકરણ
| વસ્તુ | 4-ઇંચ સી-પ્લેન(0001) 650μm સેફાયર વેફર્સ | |
| ક્રિસ્ટલ સામગ્રી | 99,999%, ઉચ્ચ શુદ્ધતા, મોનોક્રિસ્ટલાઇન Al2O3 | |
| ગ્રેડ | પ્રાઇમ, એપી-રેડી | |
| સપાટી ઓરિએન્ટેશન | સી-પ્લેન(0001) | |
| M-અક્ષ 0.2 +/- 0.1° તરફ સી-પ્લેન ઑફ-એંગલ | ||
| વ્યાસ | 100.0 મીમી +/- 0.1 મીમી | |
| જાડાઈ | 650 μm +/- 25 μm | |
| પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | A-પ્લેન(11-20) +/- 0.2° | |
| પ્રાથમિક ફ્લેટ લંબાઈ | 30.0 મીમી +/- 1.0 મીમી | |
| સિંગલ સાઇડ પોલિશ્ડ | આગળની સપાટી | એપી-પોલિશ્ડ, Ra <0.2 nm (AFM દ્વારા) |
| (SSP) | પાછળની સપાટી | ફાઇન ગ્રાઉન્ડ, Ra = 0.8 μm થી 1.2 μm |
| ડબલ સાઇડ પોલિશ્ડ | આગળની સપાટી | એપી-પોલિશ્ડ, Ra <0.2 nm (AFM દ્વારા) |
| (ડીએસપી) | પાછળની સપાટી | એપી-પોલિશ્ડ, Ra <0.2 nm (AFM દ્વારા) |
| ટીટીવી | < 20 μm | |
| ધનુષ | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| સફાઈ / પેકેજિંગ | વર્ગ 100 ક્લીનરૂમ સફાઈ અને વેક્યુમ પેકેજિંગ, | |
| એક કેસેટ પેકેજિંગ અથવા સિંગલ પીસ પેકેજિંગમાં 25 ટુકડાઓ. | ||
પેકિંગ અને શિપિંગ
સામાન્ય રીતે કહીએ તો, અમે 25pcs કેસેટ બોક્સ દ્વારા પેકેજ પ્રદાન કરીએ છીએ;અમે ક્લાયંટની જરૂરિયાત અનુસાર 100 ગ્રેડ ક્લિનિંગ રૂમ હેઠળ સિંગલ વેફર કન્ટેનર દ્વારા પણ પેક કરી શકીએ છીએ.
વિગતવાર ડાયાગ્રામ
