4H-N 4 ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ વેફર સિલિકોન કાર્બાઇડ ઉત્પાદન ડમી સંશોધન ગ્રેડ

4-ઇંચ સિલિકોન કાર્બાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ વેફર વ્યાસ 4 ઇંચ (લગભગ 101.6mm), સપાટી પૂર્ણાહુતિ Ra <0.5 nm સુધી, 600±25 μm ની જાડાઈ. વેફરની વાહકતા N પ્રકાર અથવા P પ્રકાર છે અને ગ્રાહકની જરૂરિયાતો અનુસાર કસ્ટમાઇઝ કરી શકાય છે. વધુમાં, ચિપમાં ઉત્તમ યાંત્રિક સ્થિરતા પણ છે, તે ચોક્કસ માત્રામાં દબાણ અને કંપનનો સામનો કરી શકે છે.

ઇંચ સિલિકોન કાર્બાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ વેફર સેમિકન્ડક્ટર, સંશોધન અને ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક્સ ક્ષેત્રોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાતી ઉચ્ચ-પ્રદર્શન સામગ્રી છે. તેમાં ઉત્તમ થર્મલ વાહકતા, યાંત્રિક સ્થિરતા અને ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર છે, જે ઉચ્ચ શક્તિના ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોની તૈયારી અને નવી સામગ્રીના સંશોધન માટે યોગ્ય છે. અમે ગ્રાહકોની વિવિધ જરૂરિયાતોને પહોંચી વળવા વિવિધ વિશિષ્ટતાઓ અને કસ્ટમાઇઝેશન વિકલ્પો પ્રદાન કરીએ છીએ. સિલિકોન કાર્બાઇડ વેફર્સની ઉત્પાદન માહિતી વિશે વધુ જાણવા માટે કૃપા કરીને અમારી સ્વતંત્ર સાઇટ પર ધ્યાન આપો.

મુખ્ય કાર્યો: સિલિકોન કાર્બાઇડ વેફર્સ, સિલિકોન કાર્બાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ વેફર્સ, 4 ઇંચ, થર્મલ વાહકતા, યાંત્રિક સ્થિરતા, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર, પાવર ટ્રાન્ઝિસ્ટર, ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ, પાવર મોડ્યુલ્સ, એલઇડી, લેસર ડાયોડ્સ, સરફેસ ફિનિશ, વાહકતા, કસ્ટમ વિકલ્પો