8inch SiC પ્રોડક્શન ગ્રેડ વેફર 4H-N SiC સબસ્ટ્રેટ

ટૂંકું વર્ણન:

8-ઇંચના SiC સબસ્ટ્રેટનો ઉપયોગ હાઇ-પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં થાય છે, જેમ કે પાવર MOSFETs (મેટલ ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર), સ્કોટકી ડાયોડ્સ અને અન્ય પાવર સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો.

અમને ઇમેઇલ મોકલો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

નીચેનું કોષ્ટક અમારા 8 ઇંચના SiC વેફર્સની વિશિષ્ટતાઓ દર્શાવે છે:

8 ઇંચ એન-ટાઇપ SiC DSP સ્પેક્સ
નંબર	વસ્તુ	એકમ	ઉત્પાદન	સંશોધન	ડમી
1:પરિમાણો
1.1	પોલિટાઇપ	--	4H	4H	4H
1.2	સપાટી અભિગમ	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2:ઇલેક્ટ્રિકલ પેરામીટર
2.1	ડોપન્ટ	--	n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન	n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન	n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન
2.2	પ્રતિકારકતા	ઓહ્મ · સેમી	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3:મિકેનિકલ પેરામીટર
3.1	વ્યાસ	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	જાડાઈ	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	નોચ ઓરિએન્ટેશન	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	નોચ ડેપ્થ	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	ટીટીવી	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	નમન	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	વાર્પ	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4: રચના
4.1	માઇક્રોપાઇપ ઘનતા	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	મેટલ સામગ્રી	અણુ/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	ટીએસડી	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	બીપીડી	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.ફ્રન્ટ ગુણવત્તા
5.1	આગળ	--	Si	Si	Si
5.2	સપાટી સમાપ્ત	--	સી-ફેસ CMP	સી-ફેસ CMP	સી-ફેસ CMP
5.3	કણ	ea/વેફર	≤100(size≥0.3μm)	NA	NA
5.4	શરૂઆતથી	ea/વેફર	≤5, કુલ લંબાઈ≤200mm	NA	NA
5.5	એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ક્રેક્સ/સ્ટેન/દૂષણ	--	કોઈ નહિ	કોઈ નહિ	NA
5.6	પોલીટાઈપ વિસ્તારો	--	કોઈ નહિ	વિસ્તાર ≤10%	વિસ્તાર ≤30%
5.7	ફ્રન્ટ માર્કિંગ	--	કોઈ નહિ	કોઈ નહિ	કોઈ નહિ
6:પાછળની ગુણવત્તા
6.1	પાછા સમાપ્ત	--	સી-ચહેરો સાંસદ	સી-ચહેરો સાંસદ	સી-ચહેરો સાંસદ
6.2	શરૂઆતથી	mm	NA	NA	NA
6.3	પાછળ ખામી ધાર ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ	--	કોઈ નહિ	કોઈ નહિ	NA
6.4	પાછળની ખરબચડી	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	બેક માર્કિંગ	--	નોચ	નોચ	નોચ
7: ધાર
7.1	ધાર	--	ચેમ્ફર	ચેમ્ફર	ચેમ્ફર
8:પેકેજ
8.1	પેકેજિંગ	--	વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ	વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ	વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ
8.2	પેકેજિંગ	--	મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ	મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ	મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ