ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ (GaN) એપિટેક્સિયલ MEMS માટે નીલમ વેફર્સ 4 ઇંચ 6 ઇંચ પર ઉગાડવામાં આવે છે
નીલમ વેફર્સ પર GaN ના ગુણધર્મો
● ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા:GaN-આધારિત ઉપકરણો સિલિકોન-આધારિત ઉપકરણો કરતાં પાંચ ગણી વધુ શક્તિ પ્રદાન કરે છે, જે RF એમ્પ્લીફિકેશન અને ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક્સ સહિત વિવિધ ઇલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશનોમાં કામગીરીમાં વધારો કરે છે.
● વિશાળ બેન્ડગેપ:GaN નો પહોળો બેન્ડગેપ ઊંચા તાપમાને ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતાને સક્ષમ બનાવે છે, જે તેને ઉચ્ચ-શક્તિ અને ઉચ્ચ-આવર્તન એપ્લિકેશનો માટે આદર્શ બનાવે છે.
● ટકાઉપણું:ભારે પરિસ્થિતિઓ (ઉચ્ચ તાપમાન અને કિરણોત્સર્ગ) ને હેન્ડલ કરવાની GaN ની ક્ષમતા કઠોર વાતાવરણમાં લાંબા ગાળાની કામગીરી સુનિશ્ચિત કરે છે.
● નાનું કદ:GaN પરંપરાગત સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીની તુલનામાં વધુ કોમ્પેક્ટ અને હળવા વજનના ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટે પરવાનગી આપે છે, જે નાના અને વધુ શક્તિશાળી ઇલેક્ટ્રોનિક્સને સરળ બનાવે છે.
સારાંશ
ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ (GaN) એ ઉચ્ચ શક્તિ અને કાર્યક્ષમતાની જરૂર હોય તેવા અદ્યતન એપ્લિકેશનો માટે પસંદગીના સેમિકન્ડક્ટર તરીકે ઉભરી રહ્યું છે, જેમ કે RF ફ્રન્ટ-એન્ડ મોડ્યુલ્સ, હાઇ-સ્પીડ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સ અને LED લાઇટિંગ. GaN એપિટેક્સિયલ વેફર્સ, જ્યારે નીલમ સબસ્ટ્રેટ પર ઉગાડવામાં આવે છે, ત્યારે તે ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા, ઉચ્ચ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ અને વિશાળ આવર્તન પ્રતિભાવનું સંયોજન પ્રદાન કરે છે, જે વાયરલેસ કોમ્યુનિકેશન ઉપકરણો, રડાર અને જામરમાં શ્રેષ્ઠ પ્રદર્શન માટે ચાવીરૂપ છે. આ વેફર્સ 4-ઇંચ અને 6-ઇંચ વ્યાસ બંનેમાં ઉપલબ્ધ છે, વિવિધ તકનીકી આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરવા માટે વિવિધ GaN જાડાઈ સાથે. GaN ના અનન્ય ગુણધર્મો તેને પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સના ભવિષ્ય માટે મુખ્ય ઉમેદવાર બનાવે છે.
ઉત્પાદન પરિમાણો
| ઉત્પાદન લક્ષણ | સ્પષ્ટીકરણ |
| વેફર વ્યાસ | ૫૦ મીમી, ૧૦૦ મીમી, ૫૦.૮ મીમી |
| સબસ્ટ્રેટ | નીલમ |
| GaN સ્તરની જાડાઈ | ૦.૫ μm - ૧૦ μm |
| GaN પ્રકાર/ડોપિંગ | N-પ્રકાર (વિનંતી પર ઉપલબ્ધ P-પ્રકાર) |
| GaN ક્રિસ્ટલ ઓરિએન્ટેશન | <0001> |
| પોલિશિંગ પ્રકાર | સિંગલ-સાઇડ પોલિશ્ડ (SSP), ડબલ-સાઇડ પોલિશ્ડ (DSP) |
| Al2O3 જાડાઈ | ૪૩૦ માઇક્રોન - ૬૫૦ માઇક્રોન |
| ટીટીવી (કુલ જાડાઈમાં ફેરફાર) | ≤ ૧૦ μm |
| ધનુષ્ય | ≤ ૧૦ μm |
| વાર્પ | ≤ ૧૦ μm |
| સપાટી ક્ષેત્રફળ | ઉપયોગી સપાટી વિસ્તાર > 90% |
પ્રશ્ન અને જવાબ
પ્રશ્ન ૧: પરંપરાગત સિલિકોન-આધારિત સેમિકન્ડક્ટર્સ કરતાં GaN નો ઉપયોગ કરવાના મુખ્ય ફાયદા શું છે?
A1: GaN સિલિકોન કરતાં ઘણા નોંધપાત્ર ફાયદાઓ પ્રદાન કરે છે, જેમાં વિશાળ બેન્ડગેપનો સમાવેશ થાય છે, જે તેને ઉચ્ચ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજને હેન્ડલ કરવા અને ઉચ્ચ તાપમાને કાર્યક્ષમ રીતે કાર્ય કરવાની મંજૂરી આપે છે. આ GaN ને ઉચ્ચ-પાવર, ઉચ્ચ-આવર્તન એપ્લિકેશનો જેમ કે RF મોડ્યુલ્સ, પાવર એમ્પ્લીફાયર અને LEDs માટે આદર્શ બનાવે છે. ઉચ્ચ પાવર ઘનતાને હેન્ડલ કરવાની GaN ની ક્ષમતા સિલિકોન-આધારિત વિકલ્પોની તુલનામાં નાના અને વધુ કાર્યક્ષમ ઉપકરણોને પણ સક્ષમ બનાવે છે.
પ્રશ્ન ૨: શું GaN ઓન સેફાયર વેફર્સનો ઉપયોગ MEMS (માઈક્રો-ઈલેક્ટ્રો-મિકેનિકલ સિસ્ટમ્સ) એપ્લિકેશન્સમાં થઈ શકે છે?
A2: હા, GaN ઓન સેફાયર વેફર્સ MEMS એપ્લિકેશનો માટે યોગ્ય છે, ખાસ કરીને જ્યાં ઉચ્ચ શક્તિ, તાપમાન સ્થિરતા અને ઓછા અવાજની જરૂર હોય. ઉચ્ચ-આવર્તન વાતાવરણમાં સામગ્રીની ટકાઉપણું અને કાર્યક્ષમતા તેને વાયરલેસ સંચાર, સેન્સિંગ અને રડાર સિસ્ટમ્સમાં ઉપયોગમાં લેવાતા MEMS ઉપકરણો માટે આદર્શ બનાવે છે.
પ્રશ્ન ૩: વાયરલેસ કોમ્યુનિકેશનમાં GaN ના સંભવિત ઉપયોગો શું છે?
A3: GaN નો ઉપયોગ વાયરલેસ કોમ્યુનિકેશન માટે RF ફ્રન્ટ-એન્ડ મોડ્યુલોમાં વ્યાપકપણે થાય છે, જેમાં 5G ઇન્ફ્રાસ્ટ્રક્ચર, રડાર સિસ્ટમ્સ અને જામર્સનો સમાવેશ થાય છે. તેની ઉચ્ચ પાવર ઘનતા અને થર્મલ વાહકતા તેને ઉચ્ચ-શક્તિ, ઉચ્ચ-આવર્તન ઉપકરણો માટે યોગ્ય બનાવે છે, જે સિલિકોન-આધારિત સોલ્યુશન્સની તુલનામાં વધુ સારી કામગીરી અને નાના ફોર્મ ફેક્ટરને સક્ષમ બનાવે છે.
Q4: સેફાયર વેફર્સ પર GaN માટે લીડ ટાઇમ અને ન્યૂનતમ ઓર્ડર જથ્થો શું છે?
A4: વેફરના કદ, GaN જાડાઈ અને ચોક્કસ ગ્રાહક જરૂરિયાતોના આધારે લીડ સમય અને ન્યૂનતમ ઓર્ડર જથ્થો બદલાય છે. તમારા સ્પષ્ટીકરણોના આધારે વિગતવાર કિંમત અને ઉપલબ્ધતા માટે કૃપા કરીને સીધો અમારો સંપર્ક કરો.
પ્રશ્ન 5: શું હું કસ્ટમ GaN સ્તરની જાડાઈ અથવા ડોપિંગ સ્તર મેળવી શકું?
A5: હા, અમે ચોક્કસ એપ્લિકેશન જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરવા માટે GaN જાડાઈ અને ડોપિંગ સ્તરનું કસ્ટમાઇઝેશન ઓફર કરીએ છીએ. કૃપા કરીને અમને તમારા ઇચ્છિત સ્પષ્ટીકરણો જણાવો, અને અમે એક અનુરૂપ ઉકેલ પ્રદાન કરીશું.
વિગતવાર આકૃતિ
