હાલમાં, અમારી કંપની 8inchN પ્રકારના SiC વેફરના નાના બેચનો સપ્લાય કરવાનું ચાલુ રાખી શકે છે, જો તમને નમૂનાની જરૂર હોય, તો કૃપા કરીને મારો સંપર્ક કરો. અમારી પાસે કેટલાક નમૂના વેફર્સ મોકલવા માટે તૈયાર છે.
સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલ્સના ક્ષેત્રમાં, કંપનીએ મોટા કદના SiC સ્ફટિકોના સંશોધન અને વિકાસમાં એક મોટી સફળતા મેળવી છે. વ્યાસના વિસ્તરણના અનેક રાઉન્ડ પછી પોતાના બીજ સ્ફટિકોનો ઉપયોગ કરીને, કંપનીએ 8-ઇંચના N-પ્રકારના SiC સ્ફટિકો સફળતાપૂર્વક ઉગાડ્યા છે, જે 8-ઇંચના SIC સ્ફટિકોની વૃદ્ધિ પ્રક્રિયામાં અસમાન તાપમાન ક્ષેત્ર, સ્ફટિક ક્રેકીંગ અને ગેસ ફેઝ કાચા માલના વિતરણ જેવી મુશ્કેલ સમસ્યાઓનું નિરાકરણ લાવે છે, અને મોટા કદના SIC સ્ફટિકો અને સ્વાયત્ત અને નિયંત્રણક્ષમ પ્રક્રિયા તકનીકના વિકાસને વેગ આપે છે. SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ ઉદ્યોગમાં કંપનીની મુખ્ય સ્પર્ધાત્મકતામાં ખૂબ વધારો કરે છે. તે જ સમયે, કંપની મોટા કદના સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ તૈયારી પ્રાયોગિક લાઇનની ટેકનોલોજી અને પ્રક્રિયાના સંચયને સક્રિયપણે પ્રોત્સાહન આપે છે, અપસ્ટ્રીમ અને ડાઉનસ્ટ્રીમ ક્ષેત્રોમાં તકનીકી વિનિમય અને ઔદ્યોગિક સહયોગને મજબૂત બનાવે છે, અને ગ્રાહકો સાથે સતત ઉત્પાદન પ્રદર્શનને પુનરાવર્તિત કરવા માટે સહયોગ કરે છે, અને સિલિકોન કાર્બાઇડ સામગ્રીના ઔદ્યોગિક ઉપયોગની ગતિને સંયુક્ત રીતે પ્રોત્સાહન આપે છે.
| 8 ઇંચ N-ટાઇપ SiC DSP સ્પેક્સ | |||||
| નંબર | વસ્તુ | એકમ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
| 1. પરિમાણો | |||||
| ૧.૧ | પોલીટાઇપ | -- | 4H | 4H | 4H |
| ૧.૨ | સપાટી દિશા | ° | <11-20> 4±0.5 | <11-20> 4±0.5 | <11-20> 4±0.5 |
| 2. વિદ્યુત પરિમાણ | |||||
| ૨.૧ | ડોપન્ટ | -- | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન |
| ૨.૨ | પ્રતિકારકતા | ઓહ્મ ·સેમી | ૦.૦૧૫~૦.૦૨૫ | ૦.૦૧~૦.૦૩ | NA |
| 3. યાંત્રિક પરિમાણ | |||||
| ૩.૧ | વ્યાસ | mm | ૨૦૦±૦.૨ | ૨૦૦±૦.૨ | ૨૦૦±૦.૨ |
| ૩.૨ | જાડાઈ | μm | ૫૦૦±૨૫ | ૫૦૦±૨૫ | ૫૦૦±૨૫ |
| ૩.૩ | નોચ ઓરિએન્ટેશન | ° | [૧- ૧૦૦]±૫ | [૧- ૧૦૦]±૫ | [૧- ૧૦૦]±૫ |
| ૩.૪ | ખાંચની ઊંડાઈ | mm | ૧~૧.૫ | ૧~૧.૫ | ૧~૧.૫ |
| ૩.૫ | એલટીવી | μm | ≤5(૧૦ મીમી*૧૦ મીમી) | ≤5(૧૦ મીમી*૧૦ મીમી) | ≤૧૦(૧૦ મીમી*૧૦ મીમી) |
| ૩.૬ | ટીટીવી | μm | ≤૧૦ | ≤૧૦ | ≤15 |
| ૩.૭ | ધનુષ્ય | μm | -૨૫~૨૫ | -૪૫~૪૫ | -૬૫~૬૫ |
| ૩.૮ | વાર્પ | μm | ≤30 | ≤૫૦ | ≤૭૦ |
| ૩.૯ | એએફએમ | nm | રા≤0.2 | રા≤0.2 | રા≤0.2 |
| 4. રચના | |||||
| ૪.૧ | માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | ઇએ/સેમી2 | ≤2 | ≤૧૦ | ≤૫૦ |
| ૪.૨ | ધાતુ સામગ્રી | અણુ/સેમી2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| ૪.૩ | ટીએસડી | ઇએ/સેમી2 | ≤૫૦૦ | ≤1000 | NA |
| ૪.૪ | બીપીડી | ઇએ/સેમી2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| ૪.૫ | ટેડ | ઇએ/સેમી2 | ≤૭૦૦૦ | ≤૧૦૦૦૦ | NA |
| ૫. સકારાત્મક ગુણવત્તા | |||||
| ૫.૧ | આગળનો ભાગ | -- | Si | Si | Si |
| ૫.૨ | સપાટી પૂર્ણાહુતિ | -- | સી-ફેસ સીએમપી | સી-ફેસ સીએમપી | સી-ફેસ સીએમપી |
| ૫.૩ | કણ | ઇએ/વેફર | ≤100(કદ≥0.3μm) | NA | NA |
| ૫.૪ | ખંજવાળ | ઇએ/વેફર | ≤5, કુલ લંબાઈ≤200 મીમી | NA | NA |
| ૫.૫ | ધાર ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/તિરાડો/ડાઘ/દૂષણ | -- | કોઈ નહીં | કોઈ નહીં | NA |
| ૫.૬ | પોલીટાઇપ વિસ્તારો | -- | કોઈ નહીં | વિસ્તાર ≤10% | વિસ્તાર ≤30% |
| ૫.૭ | આગળનું ચિહ્ન | -- | કોઈ નહીં | કોઈ નહીં | કોઈ નહીં |
| 6. પાછળની ગુણવત્તા | |||||
| ૬.૧ | બેક ફિનિશ | -- | સી-ફેસ એમપી | સી-ફેસ એમપી | સી-ફેસ એમપી |
| ૬.૨ | ખંજવાળ | mm | NA | NA | NA |
| ૬.૩ | પાછળની ખામી ધાર ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ | -- | કોઈ નહીં | કોઈ નહીં | NA |
| ૬.૪ | પીઠની ખરબચડીપણું | nm | રા≤5 | રા≤5 | રા≤5 |
| ૬.૫ | પાછળ માર્કિંગ | -- | નોચ | નોચ | નોચ |
| 7. ધાર | |||||
| ૭.૧ | ધાર | -- | ચેમ્ફર | ચેમ્ફર | ચેમ્ફર |
| 8. પેકેજ | |||||
| ૮.૧ | પેકેજિંગ | -- | વેક્યુમ સાથે એપી-રેડી પેકેજિંગ | વેક્યુમ સાથે એપી-રેડી પેકેજિંગ | વેક્યુમ સાથે એપી-રેડી પેકેજિંગ |
| ૮.૨ | પેકેજિંગ | -- | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ |
પોસ્ટ સમય: એપ્રિલ-૧૮-૨૦૨૩