હાલમાં, અમારી કંપની 8inchN પ્રકારના SiC વેફર્સની નાની બેચ સપ્લાય કરવાનું ચાલુ રાખી શકે છે, જો તમને નમૂનાની જરૂરિયાત હોય, તો કૃપા કરીને મારો સંપર્ક કરવા માટે નિઃસંકોચ કરો.અમારી પાસે મોકલવા માટે કેટલાક નમૂના વેફર્સ તૈયાર છે.
સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીના ક્ષેત્રમાં, કંપનીએ મોટા કદના SiC ક્રિસ્ટલ્સના સંશોધન અને વિકાસમાં મોટી સફળતા મેળવી છે.ડાયામીટર એન્લાર્જમેન્ટના બહુવિધ રાઉન્ડ પછી તેના પોતાના સીડ ક્રિસ્ટલ્સનો ઉપયોગ કરીને, કંપનીએ સફળતાપૂર્વક 8-ઇંચના N-ટાઈપ SiC ક્રિસ્ટલ્સનો વિકાસ કર્યો છે, જે વૃદ્ધિ પ્રક્રિયામાં અસમાન તાપમાન ક્ષેત્ર, ક્રિસ્ટલ ક્રેકીંગ અને ગેસ તબક્કાના કાચા માલના વિતરણ જેવી મુશ્કેલ સમસ્યાઓ હલ કરે છે. 8-ઇંચના SIC સ્ફટિકો, અને મોટા કદના SIC સ્ફટિકોના વિકાસને વેગ આપે છે અને સ્વાયત્ત અને નિયંત્રણક્ષમ પ્રોસેસિંગ ટેકનોલોજી.SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ ઉદ્યોગમાં કંપનીની મુખ્ય સ્પર્ધાત્મકતામાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે.તે જ સમયે, કંપની મોટા કદના સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ તૈયારી પ્રાયોગિક લાઇનની તકનીકી અને પ્રક્રિયાના સંચયને સક્રિયપણે પ્રોત્સાહન આપે છે, અપસ્ટ્રીમ અને ડાઉનસ્ટ્રીમ ક્ષેત્રોમાં તકનીકી વિનિમય અને ઔદ્યોગિક સહયોગને મજબૂત બનાવે છે, અને ગ્રાહકો સાથે સતત ઉત્પાદન પ્રદર્શનને પુનરાવર્તિત કરવા માટે સહયોગ કરે છે, અને સંયુક્ત રીતે. સિલિકોન કાર્બાઇડ સામગ્રીના ઔદ્યોગિક ઉપયોગની ગતિને પ્રોત્સાહન આપે છે.
| 8 ઇંચ એન-ટાઇપ SiC DSP સ્પેક્સ | |||||
| નંબર | વસ્તુ | એકમ | ઉત્પાદન | સંશોધન | ડમી |
| 1. પરિમાણો | |||||
| 1.1 | પોલિટાઇપ | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | સપાટી અભિગમ | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. વિદ્યુત પરિમાણ | |||||
| 2.1 | ડોપન્ટ | -- | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન | n-પ્રકાર નાઇટ્રોજન |
| 2.2 | પ્રતિકારકતા | ઓહ્મ · સેમી | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. યાંત્રિક પરિમાણ | |||||
| 3.1 | વ્યાસ | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | જાડાઈ | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | નોચ ઓરિએન્ટેશન | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | નોચ ડેપ્થ | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | ટીટીવી | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | નમન | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | વાર્પ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. રચના | |||||
| 4.1 | માઇક્રોપાઇપ ઘનતા | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | મેટલ સામગ્રી | અણુ/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ટીએસડી | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | બીપીડી | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. હકારાત્મક ગુણવત્તા | |||||
| 5.1 | આગળ | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | સપાટી સમાપ્ત | -- | સી-ફેસ CMP | સી-ફેસ CMP | સી-ફેસ CMP |
| 5.3 | કણ | ea/વેફર | ≤100(size≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | શરૂઆતથી | ea/વેફર | ≤5, કુલ લંબાઈ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | એજ ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ/ક્રેક્સ/સ્ટેન/દૂષણ | -- | કોઈ નહિ | કોઈ નહિ | NA |
| 5.6 | પોલીટાઈપ વિસ્તારો | -- | કોઈ નહિ | વિસ્તાર ≤10% | વિસ્તાર ≤30% |
| 5.7 | ફ્રન્ટ માર્કિંગ | -- | કોઈ નહિ | કોઈ નહિ | કોઈ નહિ |
| 6. પાછા ગુણવત્તા | |||||
| 6.1 | પાછા સમાપ્ત | -- | સી-ચહેરો સાંસદ | સી-ચહેરો સાંસદ | સી-ચહેરો સાંસદ |
| 6.2 | શરૂઆતથી | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | પાછળ ખામી ધાર ચિપ્સ/ઇન્ડેન્ટ્સ | -- | કોઈ નહિ | કોઈ નહિ | NA |
| 6.4 | પાછળની ખરબચડી | nm | રા≤5 | રા≤5 | રા≤5 |
| 6.5 | બેક માર્કિંગ | -- | નોચ | નોચ | નોચ |
| 7. ધાર | |||||
| 7.1 | ધાર | -- | ચેમ્ફર | ચેમ્ફર | ચેમ્ફર |
| 8. પેકેજ | |||||
| 8.1 | પેકેજિંગ | -- | વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ | વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ | વેક્યુમ સાથે એપી-તૈયાર પેકેજિંગ |
| 8.2 | પેકેજિંગ | -- | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ | મલ્ટી-વેફર કેસેટ પેકેજિંગ |
પોસ્ટ સમય: એપ્રિલ-18-2023