4 ઇંચ SiC વેફર્સ 6H સેમી-ઇન્સ્યુલેટિંગ SiC સબસ્ટ્રેટ્સ પ્રાઇમ, રિસર્ચ અને ડમી ગ્રેડ
પેદાશ વર્ણન
| ગ્રેડ | ઝીરો MPD પ્રોડક્શન ગ્રેડ (Z ગ્રેડ) | માનક ઉત્પાદન ગ્રેડ (પી ગ્રેડ) | ડમી ગ્રેડ (ડી ગ્રેડ) | ||||||||
| વ્યાસ | 99.5 mm~100.0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| વેફર ઓરિએન્ટેશન |
અક્ષ બંધ : 4.0° તરફ< 1120 > ±0.5° 4H-N માટે, ધરી પર : <0001>±0.5° 4H-SI માટે | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 સે.મી-2 | ≤5 સેમી-2 | ≤15 સે.મી-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·સેમી | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| પ્રાથમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| પ્રાથમિક ફ્લેટ લંબાઈ | 32.5 mm±2.0 mm | ||||||||||
| માધ્યમિક ફ્લેટ લંબાઈ | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||||
| માધ્યમિક ફ્લેટ ઓરિએન્ટેશન | સિલિકોન ફેસ અપ: 90° CW.પ્રાઇમ ફ્લેટ ±5.0° થી | ||||||||||
| એજ એક્સક્લુઝન | 3 મીમી | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| ખરબચડાપણું | સી ચહેરો | પોલિશ | Ra≤1 nm | ||||||||
| સી ચહેરો | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| ઉચ્ચ તીવ્રતાના પ્રકાશ દ્વારા એજ ક્રેક્સ | કોઈ નહિ | સંચિત લંબાઈ ≤ 10 mm, સિંગલ લંબાઈ≤2 મીમી | |||||||||
| હાઇ ઇન્ટેન્સિટી લાઇટ દ્વારા હેક્સ પ્લેટ્સ | સંચિત વિસ્તાર ≤0.05% | સંચિત વિસ્તાર ≤0.1% | |||||||||
| ઉચ્ચ તીવ્રતા પ્રકાશ દ્વારા પોલિટાઇપ વિસ્તારો | કોઈ નહિ | સંચિત વિસ્તાર≤3% | |||||||||
| વિઝ્યુઅલ કાર્બન સમાવેશ | સંચિત વિસ્તાર ≤0.05% | સંચિત વિસ્તાર ≤3% | |||||||||
| ઉચ્ચ તીવ્રતા પ્રકાશ દ્વારા સિલિકોન સપાટી સ્ક્રેચમુદ્દે | કોઈ નહિ | સંચિત લંબાઈ≤1＊વેફર વ્યાસ | |||||||||
| તીવ્રતા પ્રકાશ દ્વારા એજ ચિપ્સ ઉચ્ચ | કોઈને મંજૂરી નથી ≥0.2 મીમી પહોળાઈ અને ઊંડાઈ | 5 મંજૂર, ≤1 mm દરેક | |||||||||
| ઉચ્ચ તીવ્રતા દ્વારા સિલિકોન સપાટીનું દૂષણ | કોઈ નહિ | ||||||||||
| પેકેજિંગ | મલ્ટી-વેફર કેસેટ અથવા સિંગલ વેફર કન્ટેનર | ||||||||||
વિગતવાર ડાયાગ્રામ
તમારો સંદેશ અહીં લખો અને અમને મોકલો
