4H-N 8 ઇંચ SiC સબસ્ટ્રેટ વેફર સિલિકોન કાર્બાઇડ ડમી રિસર્ચ ગ્રેડ 500um જાડાઈ

સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) વેફર્સ અને સબસ્ટ્રેટ પસંદ કરતી વખતે, ધ્યાનમાં લેવાના ઘણા પરિબળો છે.અહીં કેટલાક મહત્વપૂર્ણ માપદંડો છે:

સામગ્રીનો પ્રકાર: તમારી એપ્લિકેશનને અનુરૂપ SiC સામગ્રીનો પ્રકાર નક્કી કરો, જેમ કે 4H-SiC અથવા 6H-SiC.સૌથી વધુ ઉપયોગમાં લેવાતી ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર 4H-SiC છે.

ડોપિંગનો પ્રકાર: નક્કી કરો કે તમારે ડોપેડ અથવા અનડોપ કરેલ SiC સબસ્ટ્રેટની જરૂર છે.સામાન્ય ડોપિંગ પ્રકારો N-type (n-doped) અથવા P-type (p-doped) છે, જે તમારી ચોક્કસ જરૂરિયાતોને આધારે છે.

ક્રિસ્ટલ ગુણવત્તા: SiC વેફર્સ અથવા સબસ્ટ્રેટ્સની ક્રિસ્ટલ ગુણવત્તાનું મૂલ્યાંકન કરો.ઇચ્છિત ગુણવત્તા ખામીઓની સંખ્યા, ક્રિસ્ટલોગ્રાફિક ઓરિએન્ટેશન અને સપાટીની ખરબચડી જેવા પરિમાણો દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.

વેફર વ્યાસ: તમારી અરજીના આધારે યોગ્ય વેફરનું કદ પસંદ કરો.સામાન્ય કદમાં 2 ઇંચ, 3 ઇંચ, 4 ઇંચ અને 6 ઇંચનો સમાવેશ થાય છે.વ્યાસ જેટલો મોટો, વેફર દીઠ તમે વધુ ઉપજ મેળવી શકો છો.

જાડાઈ: SiC વેફર્સ અથવા સબસ્ટ્રેટની ઇચ્છિત જાડાઈને ધ્યાનમાં લો.લાક્ષણિક જાડાઈના વિકલ્પો થોડા માઇક્રોમીટરથી લઈને કેટલાક સો માઇક્રોમીટર સુધીના હોય છે.

ઓરિએન્ટેશન: ક્રિસ્ટલોગ્રાફિક ઓરિએન્ટેશન નક્કી કરો જે તમારી એપ્લિકેશનની જરૂરિયાતો સાથે સંરેખિત થાય છે.સામાન્ય અભિગમમાં 4H-SiC માટે (0001) અને 6H-SiC માટે (0001) અથવા (0001̅)નો સમાવેશ થાય છે.

સરફેસ ફિનિશ: SiC વેફર્સ અથવા સબસ્ટ્રેટની સપાટીની પૂર્ણાહુતિનું મૂલ્યાંકન કરો.સપાટી સુંવાળી, પોલીશ્ડ અને સ્ક્રેચ અથવા દૂષણોથી મુક્ત હોવી જોઈએ.

સપ્લાયરની પ્રતિષ્ઠા: ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળી SiC વેફર્સ અને સબસ્ટ્રેટના ઉત્પાદનમાં વ્યાપક અનુભવ ધરાવતા પ્રતિષ્ઠિત સપ્લાયરને પસંદ કરો.ઉત્પાદન ક્ષમતાઓ, ગુણવત્તા નિયંત્રણ અને ગ્રાહક સમીક્ષાઓ જેવા પરિબળોને ધ્યાનમાં લો.

કિંમત: વેફર અથવા સબસ્ટ્રેટ દીઠ કિંમત અને કોઈપણ વધારાના કસ્ટમાઇઝેશન ખર્ચ સહિત ખર્ચની અસરોને ધ્યાનમાં લો.

આ પરિબળોનું કાળજીપૂર્વક મૂલ્યાંકન કરવું અને પસંદ કરેલ SiC વેફર્સ અને સબસ્ટ્રેટ્સ તમારી ચોક્કસ એપ્લિકેશન આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરે છે તેની ખાતરી કરવા માટે ઉદ્યોગ નિષ્ણાતો અથવા સપ્લાયરો સાથે સંપર્ક કરવો મહત્વપૂર્ણ છે.