SiO2 પાતળી ફિલ્મ થર્મલ ઓક્સાઇડ સિલિકોન વેફર 4 ઇંચ 6 ઇંચ 8 ઇંચ 12 ઇંચ

ઓક્સિડાઇઝ્ડ સિલિકોન વેફરના ઉત્પાદનની મુખ્ય પ્રક્રિયામાં સામાન્ય રીતે નીચેના પગલાંઓનો સમાવેશ થાય છે: મોનોક્રિસ્ટલાઇન સિલિકોન ગ્રોથ, વેફર્સમાં કાપવા, પોલિશિંગ, ક્લિનિંગ અને ઓક્સિડેશન.

મોનોક્રિસ્ટાલિન સિલિકોન વૃદ્ધિ: પ્રથમ, મોનોક્રિસ્ટલાઇન સિલિકોન ઉચ્ચ તાપમાને Czochralski પદ્ધતિ અથવા ફ્લોટ-ઝોન પદ્ધતિ દ્વારા ઉગાડવામાં આવે છે.આ પદ્ધતિ ઉચ્ચ શુદ્ધતા અને જાળીની અખંડિતતા સાથે સિલિકોન સિંગલ ક્રિસ્ટલ્સની તૈયારીને સક્ષમ કરે છે.

ડાઇસિંગ: ઉગાડવામાં આવેલ મોનોક્રિસ્ટાલિન સિલિકોન સામાન્ય રીતે નળાકાર આકારમાં હોય છે અને વેફર સબસ્ટ્રેટ તરીકે ઉપયોગમાં લેવા માટે તેને પાતળા વેફરમાં કાપવાની જરૂર છે.કટીંગ સામાન્ય રીતે ડાયમંડ કટર વડે કરવામાં આવે છે.

પોલિશિંગ: કટ વેફરની સપાટી અસમાન હોઈ શકે છે અને સરળ સપાટી મેળવવા માટે રાસાયણિક-મિકેનિકલ પોલિશિંગની જરૂર પડે છે.

સફાઈ: પોલિશ્ડ વેફરને અશુદ્ધિઓ અને ધૂળ દૂર કરવા માટે સાફ કરવામાં આવે છે.

ઓક્સિડાઇઝિંગ: છેલ્લે, સિલિકોન વેફર્સને ઓક્સિડાઇઝિંગ ટ્રીટમેન્ટ માટે ઉચ્ચ-તાપમાનની ભઠ્ઠીમાં મૂકવામાં આવે છે જેથી તેના વિદ્યુત ગુણધર્મો અને યાંત્રિક શક્તિને સુધારવા માટે સિલિકોન ડાયોક્સાઇડનું રક્ષણાત્મક સ્તર બનાવવામાં આવે, તેમજ ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ્સમાં ઇન્સ્યુલેટિંગ સ્તર તરીકે સેવા આપી શકાય.

ઓક્સિડાઇઝ્ડ સિલિકોન વેફરના મુખ્ય ઉપયોગોમાં સંકલિત સર્કિટનું ઉત્પાદન, સૌર કોષોનું ઉત્પાદન અને અન્ય ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોનું ઉત્પાદન સામેલ છે.સિલિકોન ઓક્સાઇડ વેફર્સનો ઉપયોગ સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીના ક્ષેત્રમાં તેમના ઉત્તમ યાંત્રિક ગુણધર્મો, પરિમાણીય અને રાસાયણિક સ્થિરતા, ઊંચા તાપમાને અને ઉચ્ચ દબાણ પર કામ કરવાની ક્ષમતા તેમજ સારી ઇન્સ્યુલેટીંગ અને ઓપ્ટિકલ ગુણધર્મોને કારણે વ્યાપકપણે થાય છે.

તેના ફાયદાઓમાં સંપૂર્ણ સ્ફટિક માળખું, શુદ્ધ રાસાયણિક રચના, ચોક્કસ પરિમાણો, સારી યાંત્રિક ગુણધર્મો વગેરેનો સમાવેશ થાય છે. આ વિશેષતાઓ સિલિકોન ઓક્સાઇડ વેફરને ઉચ્ચ-પ્રદર્શન સંકલિત સર્કિટ અને અન્ય માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટે ખાસ કરીને યોગ્ય બનાવે છે.