3inch Dia76.2mm SiC સબસ્ટ્રેટ્સ HPSI પ્રાઇમ રિસર્ચ અને ડમી ગ્રેડ

વાહક સબસ્ટ્રેટ: 15~30mΩ-cm સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટની પ્રતિકારકતાનો સંદર્ભ આપે છે.વાહક સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટમાંથી ઉગાડવામાં આવતી સિલિકોન કાર્બાઇડ એપિટેક્સિયલ વેફરને વધુ પાવર ડિવાઇસમાં બનાવી શકાય છે, જેનો ઉપયોગ નવા ઊર્જા વાહનો, ફોટોવોલ્ટેઇક્સ, સ્માર્ટ ગ્રીડ અને રેલ પરિવહનમાં વ્યાપકપણે થાય છે.

અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ સબસ્ટ્રેટ એ 100000Ω-cm સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ કરતાં વધુ પ્રતિકારકતાનો સંદર્ભ આપે છે, જે મુખ્યત્વે ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ માઇક્રોવેવ રેડિયો ફ્રિકવન્સી ઉપકરણોના ઉત્પાદનમાં વપરાય છે, તે વાયરલેસ સંચાર ક્ષેત્રનો આધાર છે.

તે વાયરલેસ કોમ્યુનિકેશનના ક્ષેત્રમાં એક મૂળભૂત ઘટક છે.

સિલિકોન કાર્બાઇડ વાહક અને અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ સબસ્ટ્રેટ્સનો ઉપયોગ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને પાવર ઉપકરણોની વિશાળ શ્રેણીમાં થાય છે, જેમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે પરંતુ તેના સુધી મર્યાદિત નથી:

હાઇ-પાવર સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો (વાહક): સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ્સમાં ઉચ્ચ વિરામ ક્ષેત્રની શક્તિ અને થર્મલ વાહકતા હોય છે, અને તે ઉચ્ચ-પાવર પાવર ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને ડાયોડ્સ અને અન્ય ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટે યોગ્ય છે.

RF ઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો (સેમી-ઇન્સ્યુલેટેડ): સિલિકોન કાર્બાઈડ સબસ્ટ્રેટમાં ઉચ્ચ સ્વિચિંગ સ્પીડ અને પાવર સહિષ્ણુતા હોય છે, જે RF પાવર એમ્પ્લીફાયર, માઇક્રોવેવ ઉપકરણો અને ઉચ્ચ આવર્તન સ્વિચ જેવી એપ્લિકેશન માટે યોગ્ય છે.

ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો (સેમી-ઇન્સ્યુલેટેડ): સિલિકોન કાર્બાઈડ સબસ્ટ્રેટમાં વિશાળ ઉર્જા અંતર અને ઉચ્ચ થર્મલ સ્થિરતા હોય છે, જે ફોટોડાયોડ્સ, સૌર કોષો અને લેસર ડાયોડ્સ અને અન્ય ઉપકરણો બનાવવા માટે યોગ્ય હોય છે.

તાપમાન સેન્સર્સ (વાહક): સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ્સમાં ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા અને થર્મલ સ્થિરતા હોય છે, જે ઉચ્ચ-તાપમાન સેન્સર્સ અને તાપમાન માપન સાધનોના ઉત્પાદન માટે યોગ્ય છે.

સિલિકોન કાર્બાઇડ વાહક અને અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ સબસ્ટ્રેટની ઉત્પાદન પ્રક્રિયા અને એપ્લિકેશનમાં ક્ષેત્રો અને સંભવિતતાઓની વિશાળ શ્રેણી છે, જે ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને પાવર ઉપકરણોના વિકાસ માટે નવી શક્યતાઓ પૂરી પાડે છે.